| 发明名称 |
Halbleiterdiode mit pn-UEbergang in einem Halbleiterkoerper aus Germanium, Silizium od. dgl. und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1132661(B) |
申请公布日期 |
1962.07.05 |
| 申请号 |
DE1958S059278 |
申请日期 |
1958.08.04 |
| 申请人 |
SONY KABUSHIKIKAISHA |
发明人 |
EZAKI REONA;KUROSE YURIKO |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/36;H01L29/86;H01L29/88 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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