| 发明名称 | 大气输送室、被处理体的处理后输送法、程序和存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种大气输送室，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13)，包括了在其内部配置在上侧的FFU(34)，FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成，风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇，除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55)，除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器，由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘，供给到加载模块(13)内部的下侧。 | ||
| 申请公布号 | CN1835193A | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN200610008360.1 | 申请日期 | 2006.02.21 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 守屋刚;广冈隆明;清水昭贵;田中谕志 |
| 分类号 | H01L21/3063(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/00(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3063(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种大气输送室，其特征在于，与由卤素系气体的等离子体对被处理体进行处理的被处理体处理室相连接、在内部输送所述被处理体，具有对该大气输送室的内部的大气进行除湿的除湿装置。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||