| 发明名称 | 磁阻效应再现头 | ||
| 摘要 | 一种磁阻效应再现头，包括由下屏蔽层和上屏蔽层构成的屏蔽部分，并且防止由磁屏蔽层的磁畴结构造成的头输出中的波动，因此具有更加稳定的头输出。在包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分的磁阻效应再现头中，该屏蔽部分被形成为具有在高度方向上不对称的多边形平面形状。 | ||
| 申请公布号 | CN1835086A | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN200510091913.X | 申请日期 | 2005.08.04 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 秋元秀行 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01);G11B5/11(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1、一种磁阻效应再现头，包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分，其中所述屏蔽部分被形成为具有在高度方向上不对称的多边形平面形状。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||