| 发明名称 | 氮化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造氮化物半导体器件的方法，其包括通过划片在第一衬底(10)的表面上形成沟槽(15)并在形成沟槽(15)的表面上形成氮化物半导体层(20)。此外，该方法还包括将氮化物半导体层(20)与第二衬底(17)结合在一起的步骤和把氮化物半导体层(20)与第一衬底(10)彼此分开的步骤。采用此制造方法，能以高产率获得氮化物半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1835189A | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN200610067612.8 | 申请日期 | 2006.03.17 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 笔田麻佑子;驹田聪 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种制造氮化物半导体器件的方法，包括如下步骤：通过划片在第一衬底表面上形成沟槽；和在形成所述沟槽的表面上形成氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||