| 发明名称 | 用作气相反应器清洗、蚀刻及掺杂气体的全氟酮 | ||
| 摘要 | 本发明说明了使用含有全氟酮的活性气体除去气相反应器中积累的不需要的沉积物、蚀刻气相反应器中的介电及金属材料以及在气相反应器中掺杂材料的方法，其中全氟酮中含有4至7个碳原子。全氟酮的性能与半导体行业中使用的标准全氟烃相当或更佳，但对全球变暖造成的影响极小。 | ||
| 申请公布号 | CN1276124C | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN02808782.8 | 申请日期 | 2002.03.14 |
| 申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | S·克萨里;F·E·比尔;M·G·柯斯特洛;R·M·弗林;R·M·明达耶;J·G·欧文斯;D·R·维塔克 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01);H01L21/311(2006.01);C23F4/00(2006.01);H01L21/316(2006.01);C23C14/56(2006.01) | 主分类号 | C23C16/44(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 周承泽 |
| 主权项 | 1.一种除去气相反应器上的沉积物的方法，所述方法包括将所述沉积物与产生于含全氟酮的活性气体的等离子体接触，所述全氟酮含有5至7个碳原子。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||