| 发明名称 | 快速开关功率绝缘栅半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种绝缘栅半导体器件(30)，包括栅极(34)、源极端子(36)、漏极端子(38)和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容(C<SUB>fiss</SUB>)和该器件截止时的输入电容(C<SUB>iiss</SUB>)之间的比值小于2，并且优选地基本上等于1。在本发明的一个实施方式中，这是通过栅极处的有效厚度d<SUB>ins</SUB>小于最小厚度的绝缘层(32)来实现的。 | ||
| 申请公布号 | CN1836337A | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN200480006969.4 | 申请日期 | 2004.01.21 |
| 申请人 | 西北大学 | 发明人 | 巴兰德·韦斯尔;奥克尔·C.·德扎格尔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01);H03K17/04(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种绝缘栅器件，包括与栅极端子相连的栅极，并且当器件在导通态和截止态之间转换时在栅极端子处具有可变输入电容，器件导通时的电容最终值和器件截止时的电容初始值之间的比值小于2.0。 | ||
| 地址 | 南非波切夫斯特鲁姆 | ||