| 发明名称 |
一种碳纳米管阵列的生长方法 |
| 摘要 |
一种多壁碳纳米管阵列的生长方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底的一表面沉积有一第一催化剂层；将上述基底设置于一石英舟内；设置一第二催化剂粉末于石英舟内，该第二催化剂粉末靠近基底设置，且设置于沿气体流动方向基底位置的前方；将上述石英舟置于一反应炉内，该反应炉包括一进气口；加热使得反应炉达到一预定温度并通入碳源气以在基底表面生长得到多壁碳纳米管阵列。 |
| 申请公布号 |
CN1834005A |
申请公布日期 |
2006.09.20 |
| 申请号 |
CN200510033699.2 |
申请日期 |
2005.03.16 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
姜开利;刘锴;范守善 |
| 分类号 |
C01B31/02(2006.01);B82B3/00(2006.01) |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种碳纳米管阵列的生长方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底的一表面沉积有一第一催化剂层；将上述基底设置于一石英舟内；设置一第二催化剂粉末于石英舟内，该第二催化剂粉末靠近基底设置，且设置于沿气体流动方向基底位置的前方；将上述石英舟置于一反应炉内，该反应炉包括一进气口；加热使得反应炉达到一预定温度并通入碳源气以在基底上生长得到碳纳米管阵列。 |
| 地址 |
518109北京市海淀区清华大学物理系 |
