| 发明名称 | 量子点增强F－N隧穿非挥发存储器 | ||
| 摘要 | 量子点增强F－N隧穿非挥发存储器属于存储器设计技术领域。其特征在于，在硅沟道上方有自组织生长的SiGe量子点。该存储器可以明显地降低电子注入过程中隧穿氧化层中的平均电场，提高电子注入效率。在不减小隧穿氧化层厚度的前提下，降低Flash Memory的编程和擦除电压，提高编程速度。由于等效隧穿氧化层厚度的增加，提高了存储器的数据保持时间和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN2819479Y | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN200520022980.1 | 申请日期 | 2005.05.20 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 邓宁;陈培毅;潘立阳;张磊;魏榕山 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、量子点增强F-N隧穿非挥发存储器，含有硅沟道、多晶硅浮栅和控制栅，其特征在于，在所述硅沟道上方有自组织生长的SiGe量子点。 | ||
| 地址 | 100084北京市北京100084－82信箱 | ||