发明名称 半导体封装组件及组装半导体封装的方法
摘要 公开了基于改善的设计和材料组合以提供改善的每I/O载流量的微电子结构。本发明的优选实施方式使用以下一个或多个的组合:(1)下凸块冶金,通过增大通道直径或者通过具有多个BLM下方的通道开口,增强每I/O的电流;(2)较厚的下凸块冶金,其中良好导体冶金的使用与增加的厚度一起使用;(3)对于电源和/或地通道连接,采用凸块冶金下方较大的通道直径、较大的焊料凸块直径和/或其它电流增强特征;(4)在无Pb合金中采用添加剂,以改变微结构,从而最小化焊料中或金属间转变处的原子迁移。
申请公布号 CN1835217A 申请公布日期 2006.09.20
申请号 CN200610004281.3 申请日期 2006.02.13
申请人 国际商业机器公司 发明人 约翰·U·克尼克伯克;海·P·郎沃斯;罗格·A·居昂
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种半导体封装组件,包括衬底、安装在所述衬底上的至少一个集成电路芯片、和用于连接衬底和所述集成电路芯片的至少一个互连,并且其中集成电路芯片包括通道,互连包括延伸到通道中以帮助连接电路芯片和衬底的焊料球,以及通道具有大约至少55um的增大的直径,以增加焊料球的电迁移寿命。
地址 美国纽约