发明名称 |
光学记录介质及其制造方法、以及在光学记录介质上记录数据的方法和重放记录在光学记录介质上的数据的方法 |
摘要 |
一种光学记录介质(10),设有支撑基板(11)和透光层(12),以及,在透光层(12)与支撑基板(11)之间进一步具有电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、电介质层(32)、光吸收层(22)和电介质层(33)。第二电介质层(32)包含ZnS或者ZnS和SiO<SUB>2</SUB>的混合物作为主要成分,并且在其中将ZnS占ZnS和SiO<SUB>2</SUB>总量的比设定成摩尔百分比60%至100%。因为第二电介质层(32)的材料具备较高的硬度和柔软性两者,除此之外还具有较高的热传导率,能达到热传导率与层硬度的良好平衡,所以,可以用精确形状形成精细的记录标记。 |
申请公布号 |
CN1836280A |
申请公布日期 |
2006.09.20 |
申请号 |
CN200480023616.5 |
申请日期 |
2004.08.12 |
申请人 |
TDK株式会社 |
发明人 |
菊川隆;福泽成敏;小林龙弘 |
分类号 |
G11B7/24(2006.01);G11B7/26(2006.01);G11B7/00(2006.01);B41M5/26(2006.01) |
主分类号 |
G11B7/24(2006.01) |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 |
代理人 |
宋丹氢;张天舒 |
主权项 |
1.一种光学记录介质,包括:基板,设置在所述基板上的贵金属氧化物层,第一电介质层,从所述贵金属氧化物层观看时,该第一电介质层设置在光入射平面侧,以及第二电介质层,从所述贵金属氧化物层观看时,该第二电介质层设置在所述光入射平面的相对侧,所述第二电介质层包含ZnS或者ZnS和SiO2的混合物作为主要成分,其中,将ZnS占ZnS和SiO2总量的比设定成摩尔百分比60%至100%。 |
地址 |
日本东京 |