发明名称 Phase-changable memory device and method of forming the same
摘要
申请公布号 KR100626388(B1) 申请公布日期 2006.09.20
申请号 KR20040083690 申请日期 2004.10.19
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;G11C11/15;H01L21/28;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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