发明名称 |
一种碳纳米管阵列生长装置及多壁碳纳米管阵列的生长方法 |
摘要 |
一种碳纳米管阵列生长装置,其包括一反应炉,该反应炉包括一进气口和一出气口;一石英舟设置于反应炉内;一生长碳纳米管用的基底设置于石英舟内,该基底一表面形成有一第一催化剂层,其中石英舟内进一步包括一第二催化剂粉末,该第二催化剂粉末靠近基底设置,且设置于沿反应气体流动方向基底位置的前方。一种多壁碳纳米管阵列的生长方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底的一表面沉积有一第一催化剂层;将上述基底设置于一石英舟内;设置一第二催化剂粉末于石英舟内,该第二催化剂粉末靠近基底设置,且设置于沿气体流动方向基底位置的前方;将上述石英舟置于一反应炉内;加热达到预定温度并通入碳源气以在基底上生长多壁碳纳米管阵列。 |
申请公布号 |
CN1834006A |
申请公布日期 |
2006.09.20 |
申请号 |
CN200510033733.6 |
申请日期 |
2005.03.18 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
姜开利;刘锴;范守善 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01);D01F9/127(2006.01);C23C16/26(2006.01);C30B25/00(2006.01) |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种碳纳米管阵列生长装置,其包括:一反应炉,该反应炉包括一进气口和一出气口;一石英舟设置于反应炉内;一生长碳纳米管用的基底设置于石英舟内,该基底一表面形成有一第一催化剂层,其特征在于石英舟进一步包括一第二催化剂粉末,该第二催化剂粉末靠近基底设置,且设置于沿反应气体流动方向基底位置的前方。 |
地址 |
518109北京市海淀区清华大学物理系 |