| 发明名称 | 梭式窑可控制还原气氛烧制陶瓷方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供梭式窑可控制还原气氛烧成陶瓷方法，步骤包括升温、干燥、烧成、保温、冷却、出窑，在梭式窑温度为500～1400℃，保温30～60分钟时，将盛有水敞口容器置于梭式窑下方的吸火口处，敞口容器的面积不小于吸火口的垂直投影面积。本方法可以很好的避免烧制陶瓷时的高温氧化问题，大大提高青瓷产品的质量，节约燃料、减少污染；并且具有成本低，易操作等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1834063A | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN200610034770.3 | 申请日期 | 2006.03.31 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 张海文;曾令可;罗民华;王慧;刘平安;方海鑫;程小苏;税安泽 |
| 分类号 | C04B35/64(2006.01) | 主分类号 | C04B35/64(2006.01) |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李卫东;罗观祥 |
| 主权项 | 1、梭式窑可控制还原气氛烧成陶瓷方法，步骤包括升温、干燥、烧成、保温、冷却、出窑，其特征在于：在梭式窑温度为500～1400℃，保温30～60分钟时，将盛有1～2升水的敞口容器置于梭式窑下方的吸火口处，敞口容器的面积不小于吸火口的垂直投影面积。 | ||
| 地址 | 510640广东省广州市天河区五山路381号 | ||