发明名称 具有层合晶穴的半导体封装构造的制造方法
摘要 本发明公开了一种具有层合晶穴的半导体封装构造的制造方法,提供有一板材以及一形成有一接着树脂层的金属箔;该金属箔层合于该板材,以使该接着树脂层黏接该板材;接着,形成一贯通口,其贯穿该板材、该接着树脂层与该金属箔;在移除该金属箔之后,该接着树脂层的另一接着面将显露在该板材上,以供贴附于一载板,形成一晶穴。
申请公布号 CN1835195A 申请公布日期 2006.09.20
申请号 CN200510068084.3 申请日期 2005.05.16
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 伯恩·卡·艾伯特;邹镜华
分类号 H01L21/48(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/48(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 董惠石
主权项 1、一种具有层合晶穴的半导体封装构造的制造方法,包含:提供一板材,该板材定义有至少一用以形成晶穴侧壁的区域;提供一金属箔,该金属箔的一表面形成有一接着树脂层,该接着树脂层具有一第一接着面以及一第二接着面,该第一接着面贴附于该金属箔,该第二接着面呈显露;层合该板材与该金属箔,使得该接着树脂层的该第二接着面黏接该板材;在对应于该形成晶穴侧壁的区域形成一贯通口,该贯通口贯穿该板材、该接着树脂层与该金属箔,使得该板材具有一在该贯通口内的晶穴侧壁;移除该金属箔,以显露该接着树脂层的该第一接着面;贴附该板材与一载板,使得该接着树脂层的该第一接着面黏接该载板;及设置一芯片于该载板且位于该板材的该晶穴侧壁内。
地址 台湾省高雄市