| 发明名称 | 形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成衬底的浮置结构、浮置栅电极和场致发射器件的方法。形成自衬底抬高的浮置结构的方法包括：在衬底上形成膨胀引发层，该层可以由与预定反应气体的反应而产生导致体积膨胀的副产物；在所得结构上形成用于浮置结构的目标层；在所得结构上形成孔，反应气体通过该孔供给；通过该孔供应反应气体，使得该目标层因膨胀引发层与反应气体的反应所产生的副产物而自衬底部分地抬高；以及通过该孔去除副产物，使得目标层自衬底抬升的部分可以完全与衬底分离，形成浮置结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1276496C | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN02144500.1 | 申请日期 | 2002.09.30 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 朴永俊;韩仁泽 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01J9/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成浮置结构的方法，该方法包括：在衬底上形成膨胀引发层(120和130)，该层可以与预定反应气体反应而产生导致体积膨胀的副产物；在该膨胀引发层(120和130)上形成用于浮置结构的目标层(140或170)；穿过该目标层(140或170)形成孔(141或172)，反应气体通过该孔供给；通过该孔(141或172)供应反应气体，使得该目标层(140或170)因膨胀引发层(120和130)与反应气体的反应所产生的副产物而自衬底部分地抬高；以及通过该孔(141或172)去除副产物，使得目标层(140或170)自衬底抬升的部分可以完全与衬底分离，形成浮置结构。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||