半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

提供一种半导体装置的制造方法和由此而得到的半导体装置。本发明的半导体装置至少形成一个晶体管(10)而构成，该晶体管(10)在单一的晶粒(大致单晶粒42)内具有源区域(11)及漏区域(12)、和沟道区域(13)而构成。沟道区域(13)，蚀刻大致单晶粒(42)而形成为排列多个散热片形状的沟道部(15)的状态而形成。在各沟道部(15)的各个表面部设置栅绝缘膜(16)，覆盖各沟道部(15)的各个栅绝缘膜(16)的一部分而设有栅电极(14)。本发明能够使沟道宽度充分地变大，谋求由此而得到晶体管的作用的提高。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：通过沉积法形成结晶性硅膜的工序；在上述结晶性硅膜上设置源区域和漏区域的工序；对上述结晶性硅膜进行蚀刻而形成为向该结晶性硅膜的面方向排列多个散热片形状的沟道部的状态的工序；在上述各沟道部的各个表面部形成栅绝缘膜的工序；和通过沿着上述结晶性硅膜的面方向、覆盖上述各沟道部的各个栅绝缘膜的一部分而形成栅电极，形成晶体管的工序。