| 发明名称 | 用于非破坏性的检查半导体器件的装置和方法 | ||
| 摘要 | 一种非损坏的检查装置(或方法)被构成使激光束(1300纳米)(3，53)辐照在半导体器件芯片的表面(或背面)以扫描。由于激光束的辐照一缺陷位置被加热产生感生磁场的热电动势电流。磁场检测器(5)如SQUID(55)检测磁场强度，据此产生扫描电磁图像。显示装置(7)在屏幕上将扫描电磁图像重叠在扫描激光器显微照片上，以致能在半导体器件上进行缺陷检测。半导体器件晶片(40)包括热电动势产生器(21)和其金属线(20a)。 | ||
| 申请公布号 | CN1276493C | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN99119709.7 | 申请日期 | 1999.09.28 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 二川清 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);G01R31/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种非破坏性的检查装置，其中包括：用于生成激光的激光器(1)；光学系统(2)，用于基于所述激光生成激光束(3)，使激光束被辐照在半导体器件芯片(4)的n层金属线上，这里“n”是任意整数；以及磁场检测装置(5)，用于检测由热电动势电流产生的磁场的强度，所述热电动势电流是响应于该激光束的辐照在半导体器件芯片中产生的，从而根据磁场检测装置的检测结果进行检测使得以非损坏方式确定在n层金属线中是否存在缺陷。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||