电容器以及动态随机存储器的制造方法

摘要

一种制造包括一个在其表面具有半球形晶粒的下电极层，一个上电极层和一个夹在上下电极层之间的介质层的半导体器件的方法，该方法包括对一个用来做下电极层的导电层的干法蚀刻，该工艺以使得下电极层表面的掺杂物浓度增加同时具有最小的蚀刻损伤的方式进行。按照本方法，有可能抑制生长在下电极层上的半球形晶粒的表面掺杂物浓度的降低。这样，就得到了高的Cmin/Cmax比。

主权项

1.一种制造集成电路电容器的方法，所述电容器包括一个在其表面具有半球形晶粒的下电极层、一个上电极层和一个夹在上下电极层之间的介质层，该方法包括以下步骤：在衬底上形成一个绝缘层；在所述绝缘层上形成一个非晶硅层；使用第一腐蚀气体混合物干法蚀刻所述非晶硅层，用来做下电极层，所述第一气体混合物中的溴化氢气体与氯气的比例至少是4∶1；和使用第二腐蚀气体混合物干法蚀刻所述非晶硅层和所述绝缘层，所述第二气体混合物中的溴化氢气体与氯气的比例至少是5∶1；然后在所述下电极上形成半球形硅晶粒。