| 发明名称 | 半导体器件的生产方法 | ||
| 摘要 | 使用一种在基板材料(特别地，二氧化硅)上的抛光速率，与在内埋膜材料(特别地，钨)上的抛光速率和在阻挡膜材料(特别地，二氧化钛)上的抛光速率彼此基本相等的浆体，同时抛光内埋膜和阻挡膜。这可以高抛光速率实现无任何台阶或多个台阶的内埋结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1276475C | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN02140212.4 | 申请日期 | 2002.06.28 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 胜村宣仁;胜村义辉;佐藤秀己;内田宪宏;金井史幸 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);C09K3/14(2006.01);C09G1/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;邰红 |
| 主权项 | 1、一种生产半导体器件的方法，该方法包括下述步骤：在硅基板上形成的绝缘膜的表面上形成槽；以这样的方式在基板绝缘膜的表面上生成由二氧化钛组成的阻挡膜，以致槽的内壁和底部被阻挡膜覆盖；以这样的方式生成由钨组成的掩蔽膜，以其填充槽的内部；以及抛光在硅基板上的阻挡膜和掩蔽膜中的至少一种膜，其中抛光步骤包括使用第三种浆体对在硅基板上的阻挡膜和掩蔽膜中的至少一种膜进行化学-机械抛光，该第三种浆体是将在掩蔽膜上抛光速率低于在硅基板或绝缘膜上的抛光速率的第一种浆体与在掩蔽膜上抛光速率高于在硅基板或绝缘膜上的抛光速率的第二种浆体混合制备得到的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||