| 发明名称 | 电流强度和电压强度可调整的ESD－保护电路 | ||
| 摘要 | 提出一种由半导体结构作为基础元件(16，18)的ESD保护电路，在所施加的超过阈值的电压下，其导电能力击穿式地或雪崩式地改变。该ESD保护电路(10)的特征在于：该ESD保护电路(10)有一个基础元件的阵列，其中，要求的电流强度由每行预定的基础元件数调整，而要求的电压强度由预定的行数调整。 | ||
| 申请公布号 | CN1835234A | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN200610004188.2 | 申请日期 | 2006.02.20 |
| 申请人 | 爱特梅尔（德国）有限公司 | 发明人 | 沃尔克·杜德克;迈克尔·格拉夫;彼特·格罗姆巴克;曼弗雷德·克劳斯纳 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/60(2006.01);H02H9/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭伟刚 |
| 主权项 | 1.由半导体结构作为基础元件(16；18)组成的ESD保护电路(10)，在所施加的超过阈值的电压下其导电能力击穿式地或雪崩式地改变，其特征在于，该ESD保护电路(10)具有一个由基础元件组成的阵列，其中要求的电流强度可用每行预定的基础元件数调整，而要求的电压强度可用预定的行数调整。 | ||
| 地址 | 德国海尔布隆市 | ||