| 发明名称 | 用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法 | ||
| 摘要 | 一种在衬底上同时制作多晶-多晶电容器、MOS晶体管、双极晶体管的方法，它包含下列步骤：在衬底上淀积和图形化第一多晶硅层，以构成所述电容器的第一平板电极和MOS晶体管的电极，以及在衬底上淀积和图形化第二多晶硅层，以构成所述电容器的第二平板电极和双极晶体管的电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1276502C | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN01110906.8 | 申请日期 | 2001.02.28 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·D·库尔鲍赫;G·G·弗里曼;S·苏坂纳 |
| 分类号 | H01L21/8249(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8249(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上同时制作多晶-多晶电容器、MOS晶体管、和双极晶体管的方法，它包含下列步骤：在衬底上淀积和图形化第一多晶硅层，以构成所述电容器的第一平板电极和MOS晶体管的电极；以及在衬底上淀积和图形化第二多晶硅层，以构成所述电容器的第二平板电极和双极晶体管的电极，所述第二多晶硅层包含SiGe多晶硅。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||