| 发明名称 | 电压控制双向开关 | ||
| 摘要 | 一种电压控制的垂直双向单片开关，参考关于开关的后表面，从低掺杂N型半导体基底上形成，其中控制结构包括在前表面侧的第一P型阱，在第一P型阱中形成有一个N型区域，并且还包括形成了MOS晶体管的第二P型阱，第一P型阱和MOS晶体管的栅极连接到控制端，所述N型区域连接到MOS晶体管的主端子，并且MOS晶体管的第二主端子连接到开关的后表面电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1835247A | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN200510121726.1 | 申请日期 | 2005.12.15 |
| 申请人 | ST微电子公司 | 发明人 | 塞缪尔·蒙纳德 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01) | 主分类号 | H01L29/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 马浩 |
| 主权项 | 1、一种电压控制的垂直双向单片开关，关于开关的后表面，由低掺杂N型半导体基底形成，其中在前表面侧上控制结构包括第一P型阱(24)，在第一P型阱(24)中形成了一个N型区域(25)，以及包括形成了MOS晶体管(T3)的第二P型阱(27)，第一P型阱(24)和MOS晶体管的栅极(29)连接到控制端(G)，所述N型区域(25)连接到MOS晶体管的主端子(26)，并且MOS晶体管的第二主端子(28)连接到开关的后表面电压。 | ||
| 地址 | 法国蒙鲁日 | ||