| 发明名称 | 半导体器件及其制法、SOI衬底及其制法和其显示器件 | ||
| 摘要 | 多晶硅薄膜和单晶硅薄膜被制作在淀积于绝缘衬底上的二氧化硅膜上。用对非晶硅薄膜进行热晶化的方法来生长多晶硅层，以便形成多晶硅薄膜。(a)其上具有二氧化硅膜和(b)其中具有氢离子注入部分的单晶硅衬底，被键合到已经经受过腐蚀清除的多晶硅薄膜区域，并经受加热过程。然后，以脱落的方式，在氢离子注入部分处分离单晶硅衬底，以便形成单晶硅薄膜。结果，有可能以低的成本提供性质稳定的具有单晶硅薄膜的大尺寸半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1276512C | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN03108532.6 | 申请日期 | 2003.03.26 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 高藤裕;糸贺隆志 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，在绝缘衬底的不同区域上分别形成多晶硅薄膜和单晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜和单晶硅薄膜作为半导体器件的用以形成器件的有源层使用。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||