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经营范围
发明名称
Method for Forming Shallow Trench Isolation In Semiconductor Device
摘要
申请公布号
KR100624327(B1)
申请公布日期
2006.09.19
申请号
KR20040117500
申请日期
2004.12.30
申请人
发明人
分类号
H01L21/76;H01L21/762
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
主权项
地址
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