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发明名称 Method of forming a floating gate electrode in flash memory device
摘要
申请公布号 KR100624924(B1) 申请公布日期 2006.09.18
申请号 KR20040112825 申请日期 2004.12.27
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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