Dual-gate structure and method of fabricating integrated circuits having dual-gate structures,申请号KR20030058437-传众专利搜索

发明名称	Dual-gate structure and method of fabricating integrated circuits having dual-gate structures
摘要
申请公布号	KR100623584(B1)	申请公布日期	2006.09.18
申请号	KR20030058437	申请日期	2003.08.22
申请人		发明人
分类号	H01L21/306;H01L21/311;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78	主分类号	H01L21/306
代理机构		代理人
主权项
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