具有增强应力状态之装置及其相关方法

摘要

本发明提供具有双重氮化层(liner)之一半导体装置，此半导体装置提供一增加的横向应力状态给至少一FET，以及提供制造此种装置之方法。本发明之第一方面提供用于一半导体装置之制造的一方法，此方法包含涂布一第一氮化矽层到此装置上及涂布相邻于此第一氮化矽层的一第二氮化矽层之步骤，其中至少其中之一的第一与第二氮化矽层于至少其中之一的第一与第二氮化矽层之下的一矽通道中导致一横向应力。