用气体介质处理半导体晶圆之方法,及用该方法处理之半导体晶圆

摘要

本发明之内容为一种用气体介质处理半导体晶圆之方法，该气体介质含有氟化氢及至少一种用以氧化半导体晶圆表面之氧化剂，其中，该气体介质系以40公厘／秒至300公尺／秒之相对速度流到半导体晶圆之表面上。本发明之内容亦包括一半导体晶圆及一具有低粗糙度及金属浓度之SOI晶圆。