发明名称 | 涂布、显影装置、光阻图案形成方法、曝光装置及洗净装置 | ||
摘要 | 一种涂布.显影装置,于光阻涂布后浸液曝光前,或浸液曝光后显影前,以简单构造除去附着于半导体晶圆之微粒。于浸液曝光前,以喷嘴部将晶圆洗净,该喷嘴部系于与晶圆之直径长度大致相当之洗净液吐出口而侧,平行设有狭缝状之吸引口。另外,使用喷嘴部进行浸液曝光后,于显影前洗净晶圆,于该喷嘴部之两端部具有包围晶圆周缘部之字型部,在上面部及下面部内侧具有洗净液吐出口,且下面部具有包围洗净液吐出口之吸引口,且侧面部具有吸引口。由于洗净液对晶圆表面或周缘部边吐出边被吸引,故于晶圆周围不需回收洗净液之回收杯,结果,能期待涂布、显影装置整体之省空间化。 | ||
申请公布号 | TW200632988 | 申请公布日期 | 2006.09.16 |
申请号 | TW094130666 | 申请日期 | 2005.09.07 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 山本太郎;福田昌弘;石田省贵 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |