| 摘要 |
本发明揭示一种用于测试SRAM的方法及测试配置，该SRAM具有耦合于一对位元线间的第一单元及第二单元。在第一步骤(410)，将资料值储存于为受测单元(CUT)的第一单元，及将此资料值的补数储存于为参考单元的第二单元。接着，将位元线预先充电至预定电压(步骤420)。其后，如藉由提供字元线一些电压脉冲，启动参考单元的字元线一段预定的时间周期(步骤430)。这将使耦合至参考单元之逻辑‘0’节点之位元线的电压下降。在后续步骤(440)，启动CUT的字元线，以使CUT曝露于降低电压的位元线。这等同于弱覆写CUT。最后，评估CUT的资料值。如果资料值已经转变，则CUT为弱单元。藉由改变上述位元线的降低电压，即可侦测具有不同弱度的单元。 |
