发明名称 | 浅沟渠隔离结构之制造方法 | ||
摘要 | 一种浅沟渠隔离结构之制造方法,适用于一基底,于该基底形成一介电薄层后,于介电薄层上形成一缓冲层,其中此缓冲层具有一第一厚度。接着,于该缓冲层上,形成一硬罩幕层,其中此硬罩幕层具有一第二厚度。图案化硬罩幕层、缓冲层、介电薄层与基底,以在基底中形成一沟渠,并在硬罩幕层、缓冲层与介电薄层中形成一开口。于开口与沟渠中,形成一绝缘层以填满开口与沟渠。移除硬罩幕层、部分绝缘层以及缓冲层,以在基底中形成突出于基底表面之一浅沟渠隔离结构。 | ||
申请公布号 | TW200633121 | 申请公布日期 | 2006.09.16 |
申请号 | TW094106402 | 申请日期 | 2005.03.03 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 黄明山;王炳尧;杨政桓 |
分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 |