非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，首先提供一基底，于基底上依序形成复合介电层、牺牲层与罩幕层。之后，图案化罩幕层，以形成暴露出牺牲层之多数个第一开口。接下来，移除第一开口所暴露出之部分牺牲层，再于第一开口中形成多数个第一闸极。之后，移除罩幕层，以于第一闸极之间形成多数个第二开口。然后，在第一闸极的顶部及侧壁形成一绝缘层。接着，再移除这些第二开口所暴露出之部分牺牲层，并于这些第二开口中形成多数个第二闸极。多数个第二闸极与多数个第一闸极构成一记忆胞串列。继而，于记忆胞串列两侧之基底中各自形成源极／汲极区。