半导体装置之制造方法及使用其之离子植入装置

摘要

本发明可不论离子束之扫描方法及扫描速度，而抑制对于半导体基板上所形成之半导体装置的充正电之情形，防止绝缘膜之绝缘破坏及损伤。为此，对于主面上形成有电容性绝缘膜之半导体晶圆7植入杂质离子。在该杂质离子植入步骤中，杂质离子作为断续性地反覆开关之脉冲状离子束植入半导体晶圆。