| 摘要 |
本发明之实施例系关于一种在一半导体光罩制程系统中测量一交替式相位移光罩之蚀刻间之蚀刻深度的方法及设备。用来在一蚀刻制程系统中测量一基材之蚀刻深度之设备包含一种与该蚀刻制程系统之主架构连接之量测单元，以及一种与该量测单元底部连接之蚀刻深度量测工具，其中位于该量测单元底部之开口使光束可以穿透过该蚀刻深度量测工具和该基材间。本发明之实施例也关于制备一种交替相位移光罩之方法，其系藉由部分蚀刻该石英基材至一起始蚀刻深度，接着以一整合式量测工具测量该蚀刻深度。然后蚀刻该基材并重复测量直到达到目标蚀刻深度为止。 |
