| 摘要 |
一种记忆体阵列(140)包括第一和第二组导体(142)、(144)以及复数个记忆体–二极体(130)，各个记忆体–二极体顺向连接该第一组导体(BL)(142)和该第二组导体(WL)(144)。在顺向从高电位至低电位施加电位(electricalpotential)通过选择的记忆体–二极体(130)，预定烧录(program)该选择的记忆体–二极体(130)。在该预定烧录期间，提供该阵列(140)中之各其他记忆体–二极体(130)在其顺向之通过其中之较其临界电压(threshold voltage)低之电位。藉由在反向从高电位至低电位施加通过记忆体–二极体(130)之电位可建立各记忆体–二极体(130)之临界电压。藉由如此建立足够的临界电压，以及藉由选择施加至该阵列(140)之导体之适当电位，可避免漏电流和干扰等相关问题。 |
