| 摘要 |
本发明关于一种磁性记忆系统(1,20)包含一资讯层(13)及一用于与资讯层(13)配合之感测器(2,22)。资讯层(13)包含一模型之磁片(4a、4b、4c、4d、24a、24c、24d)且构成一阵列之磁片位置。位于一磁片位置之一磁片磁场(3a、3b、3c、3d)系代表一逻辑值(L0,L1／2,L1)。感测器(2，22)包含一磁电阻元件(6，26)，该磁电阻元件包含一固定磁性层(7)与一自由磁性层(8)。自由磁性层(8)具有一磁化轴线(10)，该自由磁性层即沿着此轴线而维持一自由磁化方向(11b，11c，21b，21c)。由于自由磁化方向(11c，11b，21b，21c)大致上平行于磁化轴线(10)，藉由在磁电阻元件(6，26)内提供一第一电阻值(Rmax，Rmid，Rmin)，位于其中一磁片位置之一第一磁片磁场(3b、3c)即代表一第一逻辑值(L0，L1／2，L1)。由于自由磁化方向(11a，11d，21a，21d)与磁化轴线(10)之间具有一角度(12a，12d，27)，藉由在磁电阻元件(6，26)内提供一第二电阻值(Rmax，Rmid，Rmin)，位于其中一磁片位置之一第二磁片磁场(3a、3d)即代表一第二逻辑值(L0，L1／2，L1)。用于提供第二电阻值(Rmax，Rmid，Rmin)之第二磁片磁场(3a、3d)并非自由磁性层(8)之二稳定磁化方向之其中一者，且因而不同于第一电阻值(Rmax，Rmid，Rmin)。感测器(2，22)之自由磁性层(8)之磁化方向即不再需要在读出前设定。 |
