| 摘要 |
一种半导体之制造方法包含形成一调平防护环以界定一内部区域，在该内部区域之内将制造一或更多个装置。在若干实施例中，例如以共形心布局来制造两个或更多个匹配之装置于该内部区域中。该防护环系形成于至少一特定层上供特定之处理步骤用，藉由克服局部特征之高度差效应的防护环，之后所施加之光阻因此具有更均匀的高度跨越该内部区域而产生更均匀的装置。在某些实施例中，包围匹配装置之个别阵列的复数个防护环系排列于半导体晶圆之表面上，间隔分开而不致互相集中。依据各个防护环之等化效应，排列于该等内部区域中之个别装置将更平坦地匹配于远处间隔之防护环中的等效装置，因此将达成局部及全面之匹配。 |
