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发明名称
使用一真空腔体来制造半导体元件之系统和其方法
摘要
本发明是有关于制造半导体元件,特别是有关于使用一真空腔体来制造半导体元件。在一实例中,用于半导体制造之一方法包含:提供一光阻层于一晶圆上;使用一真空腔体从光阻层上移除溶剂残渣物;以及对此晶圆进行曝光。
申请公布号
TW200632991
申请公布日期
2006.09.16
申请号
TW094145625
申请日期
2005.12.21
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
施仁杰
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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