发明名称 使用一真空腔体来制造半导体元件之系统和其方法
摘要 本发明是有关于制造半导体元件,特别是有关于使用一真空腔体来制造半导体元件。在一实例中,用于半导体制造之一方法包含:提供一光阻层于一晶圆上;使用一真空腔体从光阻层上移除溶剂残渣物;以及对此晶圆进行曝光。
申请公布号 TW200632991 申请公布日期 2006.09.16
申请号 TW094145625 申请日期 2005.12.21
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 施仁杰
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号