发明名称 |
利用高密度源与低轰击能量电浆以提供高蚀刻速率之介电质蚀刻方法 |
摘要 |
本发明系为一种电浆蚀刻方法,其包括施加含四氟化碳、氮气与氩气的气体混合,以及形成高密度与低轰击能量之电浆。高密度与低轰击能量电浆系利用高源与低偏压功率设定而加以形成。气体混合可进一步包含氢气、氨气、氢氟碳化合物气体以及/或氟碳化合物气体。氢氟碳化合物气体可包含二氟甲烷、一氟甲烷以及/或三氟甲烷。氟碳化合物气体可包含八氟环丁烷、六氟化四碳以及/或八氟环戊烯。 |
申请公布号 |
TW200633048 |
申请公布日期 |
2006.09.16 |
申请号 |
TW094142657 |
申请日期 |
2005.12.02 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
德刚迪诺杰拉多A DELGANDINO, GERARDO A.;谢章麟;叶雁;沈贤钟 |
分类号 |
H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |