电浆处理方法及电浆处理装置

摘要

本发明提供一种电浆蚀刻方法及电浆蚀刻装置，目的在于使半导体制造装置的运转率不会在半导体元件加工时下降，而可减少造成缺陷原因的异物，以使生产良率提升。本发明系具有可控制载置晶圆2之电极14上的离子鞘32w与载置于其周边部之构件141上的离子鞘32f的机构，使离子鞘32f的厚度小于离子鞘32w的厚度，而在晶圆2之端部附近设置离子鞘的倾斜部32s，以使离子31斜向射入晶圆端部，而去除晶圆端部的沈积膜。