利用亲水性Si表面及介面间键结氧化物溶解之准厌水性Si-Si晶圆接合QUASI-HYDROPHOBIC SI-SI WAFER BONDING USING HYDROPHILIC SI SURFACES AND DISSOLUTION OF INTERFACIAL BONDING OXIDE

摘要

本发明提供一种方法，系于矽晶圆接合后，用以移除或减少于Si–Si介面残留之超薄介面的(interfacial)氧化物之厚度。尤其是，本发明提供一种方法，系于亲水性Si–Si晶圆接合而产生具可与厌水性接合达成之特性相比较之Si–Si接合的介面后，移除残留之超薄介面的氧化物。介面的氧化物层约为2–3nm，藉高温回火(annealing)被消溶，举例而言，于1300°–1330℃进行1–5小时之回火。此发明方法最佳被使用于，当接合介面之矽表面具不同表面方向时，举例而言，当一具一(100)方向的矽表面接合至一具一(110)方向的矽表面。于一本发明较常见的面向中，相似的回火制程可被使用，以移除 积于两含矽半导体材料之一接合介面之不被预期的材料。该两含矽半导体材料可为相同或不同表面结晶方向、微结构(microstructure)(单晶体(single–crystal)、多晶型(polycrystalline)或非晶体(amorphous))及成分。