半导体发光元件

摘要

提供：于使用氮化物半导体之发光元件中，防止半导体层的劣化，对于反向电压之施加与长时间动作，半导体层也不易破坏，且可靠性优异之氮化物半导体发光元件。于基板1的表面形成有：由氮化物半导体所形成，包含第1导电形层(p形层5)极第2导电形层(n形层3)之半导体层积部6，于其上设置有和透光性导电层7极p形层5电性连接之p侧电极8，且设置有与半导体层机部6的下层侧之n形层3电性连接之n侧电极9。此晶片周围的半导体层积部6系藉由蚀刻而被去除，藉此，而形成有台面状半导体层积部6a，该台面状半导体层积部6a系平面形状为不具有90°以下之角部，其之角落部被蚀刻成为曲线。