| 摘要 |
本发明提出一种新颖之NPBL(nano–particle buffer layer)与ANPL(active layer with light emitting and current blocking nano–particles)发光半导体元件结构及其形成方法；其系藉由添加至该发光半导体元件结构发光层中的奈米粒子之作用而降低溢电流量；且本发明配合一般之平面化技术制程，所制得的发光半导体元件于巨观上具有平面化之结构，然就微观上而言，其膜层结构间并非平滑之平面，藉以破坏寄生之波导效应，以增进该半导体发光元件之取光效率。 |
