以氮化钛作为缓冲层之AlGaInN氮化合物基板结构及其制造方法

摘要

本发明系揭露一种以氮化钛作为缓冲层之AlGaInN氮化合物基板结构及其制造方法，其系将(111)面之氮化钛沈积于(111)面的矽基板上作为缓冲层，再于其上磊晶成长(0001)面之三五族AlGaInN氮化合物元件磊晶结构。该方法，不仅可以形成高品质的三五族AlGaInN氮化合物磊晶层，制作垂直导通的三五族AlGaInN氮化合物元件，形成氮化钛反射面以提高光电元件的效能、更可避免于三五族AlGaInN磊晶过程中矽基板形成非晶质之氮化矽(SiNx)，提高磊晶片的良率。