发明名称 | 发光二极体之制造方法 | ||
摘要 | 一种发光二极体之制造方法,至少包含:提供一基板,其中此基板上至少包括依序堆叠之一第一导电型披覆层、一主动层、一第二导电型披覆层、一超晶格接触层以及一透明导电氧化层;形成一蚀刻罩幕层位于部分之透明导电氧化层上,其中蚀刻罩幕层为绝缘;利用蚀刻罩幕层进行一定义步骤,以移除透明导电氧化层之一暴露部分、以及透明导电氧化层之暴露部分底下之超晶格接触层、第二导电型披覆层、与主动层,直至暴露出第一导电型披覆层;移除蚀刻罩幕层;以及形成一第一导电型电极位于第一导电型披覆层之暴露部分上,以及一第二导电型电极位于透明导电氧化层上。 | ||
申请公布号 | TW200633247 | 申请公布日期 | 2006.09.16 |
申请号 | TW094106119 | 申请日期 | 2005.03.01 |
申请人 | 元砷光电科技股份有限公司 | 发明人 | 许世昌;李明伦 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 代理人 | 蔡坤财 | |
主权项 | |||
地址 | 台南县台南科学工业园区大顺九路16号 |