非挥发性半导体记忆装置及其之制造方法

摘要

【课题】藉由均匀地形成奈米点，来提供高可靠性之奈米点记忆体。另外，藉由于通道绝缘膜采用矽氧化膜替代材料，来提供高速、高可靠性之奈米点记忆体。【解决手段】特征为具有：于矽或锗基板，较好为矽或锗的(111)基板上，使磊晶成长HfO2、ZrO2或CeO2之高介电常数绝缘膜之通道绝缘膜、及形成于前述通道绝缘膜上之CoSi2或NiSi2之矽化合金奈米点。