雷射二极体装置

摘要

本发明提供一种雷射二极体装置，其藉由将AlGaInN化合物半导体用作材料而能够获得高光效率并改良输出。该雷射二极体装置包括半导体层，该半导体层具有一作用层且由氮化物III–V族化合物半导体制成，该化合物半导体包含3B族元素中之铝(Al)、镓(Ga)及铟(In)中的至少一者及5B族元素中之氮(N)。该作用层具有一条形发光区域，该区域之宽度W为自5μm至30μm，长度L为自300μm至800μm，且来自该作用层之雷射光的输出为200mW或200mW以上。