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发明名称
具有锆氧化物之电容器及其制法
摘要
提供一种具有氧化锆之电容器及其制法。该方法包括:形成储存节点;在储存节点上形成多层介电结构,所述多层介电结构包括氧化锆(ZrO2)层和氧化铝(Al2O3)层;和在多层介电结构上形成板状电极。
申请公布号
TW200633238
申请公布日期
2006.09.16
申请号
TW094138955
申请日期
2005.11.07
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
李起正
分类号
H01L29/94;H01L21/469
主分类号
H01L29/94
代理机构
代理人
何金涂;林荣琳
主权项
地址
韩国
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