用以储存多重资料之非挥发性电性可改写记忆体单元及其制造方法

摘要

一种记忆体单元包括在两浮闸间侧面放置的两控制闸，其中各浮闸可以保留资料。上述记忆体单元的形成系放置一第1多晶矽在半导体物质的基板上，并在基板上安置一井区。控制闸最好以镶嵌处理形成，其中在形成两浮闸后移除第1多晶矽，并在两浮闸间放置一第2多晶矽。之后在第2多晶矽上完成非等向蚀刻以形成两控制闸。