制造快闪记忆体装置之方法

摘要

本发明揭示一种用以制造一快闪记忆体装置之方法，其中在具有一负斜率之自对准浮动闸极之侧上形成电极间隔片。因此，在形成一层间介电膜及一控制闸极之后蚀刻一堆叠闸极时，可防止藉由该等自对准浮动闸极之负斜率而形成的一控制闸极之一纵梁(stringer)。此外，由于使用一各向同性蚀刻过程来移除浮动闸极之间的元件隔离膜，故该等元件隔离膜不余留于该等浮动闸极之侧上。因此可防止耦合比之损耗。因此，可减少装置之故障且可防止程式速率之降低。